中國芯片行業這些年卡脖子卡得厲害，尤其是高端制程那塊兒，全世界就那么幾家能搞定EUV光刻機，我們想買都買不到。結果呢，很多自研芯片設計好了，卻沒法大規模生產，損失一大堆錢和時間。

2022年，復旦大學的一幫研究員看準了這問題，決定不走尋常路。他們從晶體管結構下手，琢磨怎么用現有設備就把芯片性能提上去。周鵬教授領銜的團隊，花了好幾個月分析硅基材料的極限，覺得二維材料能派上用場，就開始實驗堆疊不同材料來做器件。

起初實驗挺折騰的。團隊先在實驗室小打小鬧，用硅片和二硫化鉬試兼容性。調參數調了半天，避免材料間起沖突。2022年上半年，他們做出第一個小樣品，測下來密度能翻倍，但電流漏得厲害，得反復改工藝。夏天時候，擴展到4英寸晶圓，買了些設備回來測試。過程中，跟國內幾家半導體廠聊了聊，拿反饋優化后端線。秋天，數據齊了，寫論文投到國際期刊。12月，成果出來了，介紹這種異質互補場效應晶體管，硅管p型，二硫管n型，垂直疊加，性能直追先進節點。

這事兒一出，業內炸鍋了。國外媒體也報道，說中國在架構創新上領先了。復旦團隊沒停手，2023年建了個專項 lab，繼續鉆研。試了二硒化鎢啥的，換材料提升耐用度。年中，跟芯片設計企業聯手，模擬電路表現，功耗降了15%。國家給項目塞錢，納入科技計劃。團隊人手多了，學生也進來幫忙，實驗速度快起來。2024年，挑戰大晶圓，8英寸試產，良率先低到50%，后來用激光幫轉移，精度上去了。

2025年開頭，焦點轉到閃存上。團隊用異質結構搞NOR型器件，不用傳統浮柵。分批實驗，先小陣列驗證，再擴規模。夏天，熱穩定性搞定，摻雜調閾值。10月，做出全球首個全功能二維NOR閃存芯片，集成硅基和二維材料，高密度存儲，還兼容老生產線。芯片企業一看，有戲，評估用在邊緣計算。國際上，類似研究冒頭，但復旦搶先了。這不光是技術事兒，還幫供應鏈穩下來，少靠進口。

異質CFET技術說白了，就是聰明地疊材料避開縮尺寸的麻煩。硅基底上放p型管，上面疊n型二維層，物理匹配好，密度就上去了。工藝從硅片清洗開始，沉積緩沖，轉移薄膜，用化學氣相法長材料。層厚幾納米，載流子跑得順。測下來，開關比10的6次方，漏電流pA級，低功耗合適。柵極用高k介質，耦合強。后端兼容CMOS，不改前端設備，廠子升級容易，成本省。

閃存擴展挺實用的。NOR結構隨機訪問快，代碼存儲好。樣品陣列幾千單元，編程電壓5V以下。耐久10的4次循環，數據保持穩。比老閃存，隧穿層薄，可靠高。高溫下閾值漂小。讀出放大用互補管，噪聲低，信號好。編程注入載流子，擦除熱電子。測試用自動探針，位錯率10的負5。外圍電路低壓，功耗控好。

技術優勢明顯。傳統靠EUV縮節點，這法子堆疊提集成，7nm等效性能追得上。模擬顯示，邏輯門延遲短。制造細節多，晶圓準備去污，濕法轉移無損。光刻只圖案連接，不需EUV。熱預算400°C下，材料不壞。批量時，缺陷分析修界面陷阱，良率80%上。通過這些，避開壟斷，自主路寬了。

產業對接在走。2025年樣品后，企業驗證，生產線調小。成本算下來，EUV路徑省30%。移動設備和高可靠領域合適。國際標準過關，無環境問題。路徑給多元化，未來多層疊，密度再翻。團隊瞄黑磷，頻響擴。5G和物聯網潛力大。

再往前看，復旦沒只盯CFET。2025年4月，他們搞出WUJI芯片，幾原子層厚，32位RISC-V處理器，全二維材料。避硅，完全無EUV。團隊從2024年底起步，材料選二硫化鉬啥的，建電路。測下來，運算速快，功耗低。處理器小，但功能全，跑基本任務。業內說，這步大，幫中國高端計算獨立。

WUJI開發過程接地氣。團隊先模擬架構，選RISC-V開源。材料生長調均勻，器件集成避短路。春天時候，首批樣品出，調試代碼跑通。4月公布，全球第一硅免費處理器。企業興趣大，考慮AI邊緣用。技術上，二維層疊，電子流順，能量損90%省。跑1.4倍快。跟CFET結合，未來芯片更強。

整體看，這系列突破讓中國芯片不那么被動。EUV壟斷下，架構創新成出路。復旦團隊實干，步步推，幫產業升級。臺積電那邊擴美廠，2022年張忠謀他們熱鬧，但我們自力更生，技術地位降他們影響。依賴EUV的企業日子難過點。

芯片未來多路線。復旦CFET和WUJI開局好，二維材料成主流。團隊繼續，周鵬他們領頭，新材料試。閃存擴展到更大陣列，應用廣。企業合作深，供應鏈重構。國際競爭烈，但中國領先占位。